Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2021, том 91, выпуск 8, страницы 1264–1267
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2021.08.51102.54-21 (Mi jtf4959) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Твердотельная электроника

Измерение внутреннего квантового выхода излучения InGaN светодиода

И. В. Фроловa, В. А. Сергеевab, О. А. Радаевa

a Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
b Ульяновский государственный технический университет
PDF полного текста (109 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2021.08.51102.54-21
Аннотация: Представлен способ измерения внутреннего квантового выхода излучения InGaN светодиода, заключающийся в измерении мощности излучения и граничных частот электролюминесценции светодиода при двух малых токах, соответствующих участку роста квантовой эффективности светодиода, и расчете значения внутреннего квантового выхода по соответствующей функциональной зависимости. Для определения внутреннего квантового выхода при других значениях тока измерена токовая зависимость внешнего квантового выхода и рассчитан коэффициент вывода излучения из структуры по результатам измерений внутреннего и внешнего квантового выхода при малом токе. Достоверность способа измерений подтверждена сопоставлением результатов измерений с результатами, полученными известным способом измерений.
Ключевые слова: светодиод, внутренний квантовый выход, измерение.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-07-00562 А
Работа выполнена в рамках государственного задания при частичной финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 19-07-00562 А.
Поступила в редакцию: 04.03.2020
Исправленный вариант: 25.03.2020
Принята в печать: 26.03.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2021, Volume 66, Issue 10, Pages 1107–1110
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784221080077
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Фролов, В. А. Сергеев, О. А. Радаев, “Измерение внутреннего квантового выхода излучения InGaN светодиода”, ЖТФ, 91:8 (2021), 1264–1267; Tech. Phys., 66:10 (2021), 1107–1110
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FroSerRad21}
\by И.~В.~Фролов, В.~А.~Сергеев, О.~А.~Радаев
\paper Измерение внутреннего квантового выхода излучения InGaN светодиода
\jour ЖТФ
\yr 2021
\vol 91
\issue 8
\pages 1264--1267
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf4959}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2021.08.51102.54-21}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46470577}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2021
\vol 66
\issue 10
\pages 1107--1110
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784221080077}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85124753157}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf4959
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v91/i8/p1264
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:67
    PDF полного текста:39
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024