|
XXV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Н. Новгород, 9--12 марта 2021 г.
Твердотельная электроника
Радиационная стойкость источника субтерагерцового излучения из гетеродина на генераторе на диоде Ганна и умножителя на полупроводниковой сверхрешетке
А. С. Ивановa, Д. Г. Павельевb, С. В. Оболенскийb, Е. С. Оболенскаяb a ОАО Научно-производственное предприятие "Салют", Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Произведена оценка радиационной стойкости к гамма-облучению различных уровней доз (0.5, 2, 10 kGy) источника субтерагерцового излучения из гетеродина на диоде Ганна и умножителя на полупроводниковой сверхрешетке GaAs/AlAs. Разработана и изготовлена измерительная камера для изучения радиационной стойкости диодов Ганна. Аналитически оценена зависимость выходной мощности от частоты субтерагерцового источника излучения до и после облучения.
Ключевые слова:
радиационная стойкость, сверхрешетка, диод Ганна, терагерцы.
Поступила в редакцию: 30.04.2021 Исправленный вариант: 30.04.2021 Принята в печать: 30.04.2021
Образец цитирования:
А. С. Иванов, Д. Г. Павельев, С. В. Оболенский, Е. С. Оболенская, “Радиационная стойкость источника субтерагерцового излучения из гетеродина на генераторе на диоде Ганна и умножителя на полупроводниковой сверхрешетке”, ЖТФ, 91:10 (2021), 1501–1503
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf4918 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v91/i10/p1501
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 72 | PDF полного текста: | 19 |
|