Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2021, том 91, выпуск 10, страницы 1431–1440
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2021.10.51354.66-21 (Mi jtf4910) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Н. Новгород, 9--12 марта 2021 г.
Теоретическая и математическая физика

Диссипативное туннелирование электронов в вертикально связанных двойных асимметричных квантовых точках InAs/GaAs(001)

М. Б. Семеновa, В. Д. Кревчикa, Д. О. Филатовb, А. В. Шороховacde, А. П. Шкуриновaf, И. А. Ожередовaf, П. В. Кревчикa, Y. H. Wangg, T. R. Lig, A. K. Malikh, М. О. Марычевb, Н. В. Байдусьb, И. М. Семеновa

a Пензенский государственный университет
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Jyväskylä, Seminaarinkatu, 15, PO BOX 35, Fl-40014, Finland
d International Research Centre Mag Top, Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02668 Warsaw, Poland
e Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, Саранск, Россия
f Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, г. Шатуpа Московской обл.
g Key Laboratory for Special Function Materials, School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, 730000 Lanzhou, China
h Department of Physics, Multanimal Modi College Modinagar, 201204 Uttar Prasesh, India
PDF полного текста (767 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2021.10.51354.66-21
Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований фотоэлектрических свойств GaAs p–i–n-фотодиода с двойными асимметричными квантовыми точками (ДАКТ) InAs, полученными методом самоформирования в процессе МОС-гидридной эпитаксии. В зависимости фототока от напряжения обратного смещения при монохроматическом фотовозбуждении ДАКТ на длине волны, соответствующей энергии межзонных оптических переходов между основными состояниями дырок и электронов в квантовых точках (КТ) большего размера, обнаружены 3 пика, связанные с туннелированием фотовозбужденных электронов между КТ, в том числе – диссипативным (с поглощением и испусканием оптических фононов). Результаты эксперимента качественно согласуются с теоретической полевой зависимостью вероятности 1D-диссипативного туннелирования между КТ.
Ключевые слова: вертикально-совмещенные двойные асимметричные квантовые точки, InAs, GaAs, туннельные оптические переходы, фотопроводимость, диссипативное туннелирование.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0748-2020-0012
Российский фонд фундаментальных исследований 18-42-130007 р_а
Foundation for Polish Science MAB/2017/1
Работа выполнена при поддержке гранта Министерства науки и высшего образования РФ 0748-2020-0012 и гранта РФФИ 18-42-130007 р_а. The International Center for Interfacing Magnetism and Superconductivity with Topological Matter MagTop is supported by the Foundation for Polish Science through the IRA Programme co-financed by EU within SG OP (Grant No. MAB/2017/1).
Поступила в редакцию: 18.03.2021
Исправленный вариант: 18.03.2021
Принята в печать: 18.03.2021
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2022, Volume 67, Issue 2, Pages 115–125
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784222010145
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Б. Семенов, В. Д. Кревчик, Д. О. Филатов, А. В. Шорохов, А. П. Шкуринов, И. А. Ожередов, П. В. Кревчик, Y. H. Wang, T. R. Li, A. K. Malik, М. О. Марычев, Н. В. Байдусь, И. М. Семенов, “Диссипативное туннелирование электронов в вертикально связанных двойных асимметричных квантовых точках InAs/GaAs(001)”, ЖТФ, 91:10 (2021), 1431–1440; Tech. Phys., 67:2 (2022), 115–125
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SemKreFil21}
\by М.~Б.~Семенов, В.~Д.~Кревчик, Д.~О.~Филатов, А.~В.~Шорохов, А.~П.~Шкуринов, И.~А.~Ожередов, П.~В.~Кревчик, Y.~H.~Wang, T.~R.~Li, A.~K.~Malik, М.~О.~Марычев, Н.~В.~Байдусь, И.~М.~Семенов
\paper Диссипативное туннелирование электронов в вертикально связанных двойных асимметричных квантовых точках InAs/GaAs(001)
\jour ЖТФ
\yr 2021
\vol 91
\issue 10
\pages 1431--1440
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf4910}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2021.10.51354.66-21}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46491195}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2022
\vol 67
\issue 2
\pages 115--125
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784222010145}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf4910
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v91/i10/p1431
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    1. V. D. Krevchik, M. B. Semenov, D. O. Filatov, D. A. Antonov, “Effect of Temperature on Dissipative Electron Tunneling through Co Nanoparticles in HfO2 Films”, Tech. Phys., 68:4 (2023), 75  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:110
    PDF полного текста:39
     
      Обратная связь:
    math-net2025_03@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025