Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2021, том 91, выпуск 11, страницы 1727–1731
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2021.11.51535.142-21 (Mi jtf4898) 		 
Твердотельная электроника

GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры для мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей

Д. В. Гуляевa, Д. В. Дмитриевa, Н. В. Фатеевa, Д. Ю. Протасовab, А. С. Кожуховa, К. С. Журавлевa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный технический университет
PDF полного текста (720 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2021.11.51535.142-21
Аннотация: Определен внутренний квантовый выход люминесценции GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктур для инфракрасных светодиодов. Исследовано влияние ростовых условий гетероструктур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и пост-ростового отжига на квантовый выход гетероструктур. Показано, что совокупной оптимизацией данных процессов удается повысить квантовый выход люминесценции исследуемых гетероструктур до 75–80% при умеренной мощности накачки.
Ключевые слова: гетероструктуры, кельвиновская зондовая микроскопия, молекулярно-лучевая эпитаксия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-42-540009
Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ и Новосибирской области в рамках научного проекта № 20-42-540009.
Поступила в редакцию: 12.05.2021
Исправленный вариант: 28.06.2021
Принята в печать: 01.07.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. В. Гуляев, Д. В. Дмитриев, Н. В. Фатеев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, К. С. Журавлев, “GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры для мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей”, ЖТФ, 91:11 (2021), 1727–1731
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GulDmiFat21}
\by Д.~В.~Гуляев, Д.~В.~Дмитриев, Н.~В.~Фатеев, Д.~Ю.~Протасов, А.~С.~Кожухов, К.~С.~Журавлев
\paper GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры для мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей
\jour ЖТФ
\yr 2021
\vol 91
\issue 11
\pages 1727--1731
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf4898}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2021.11.51535.142-21}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46638334}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf4898
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v91/i11/p1727
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:102
    PDF полного текста:71
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024