Геттерирующие свойства никеля в кремниевых фотоэлементах

Изучено влияние легирования никелем на параметры кремниевых фотоэлементов, в которых $p$–$n$-переход создавался примесями III (B, Ga) и V (P, Sb) групп. Показано, что положительное влияние никеля на эффективность фотоэлемента не зависит от типа исходного кремния и от природы примесей, использующихся для получения $p$–$n$-перехода, а определяется преимущественно геттерирующими свойствами приповерхностного обогащенного никелем слоя.