Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2021, том 91, выпуск 12, страницы 2008–2017
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2021.12.51767.240-21 (Mi jtf4847) 		 
Фотоника

Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm

С. А. Блохинa, А. В. Бабичевb, А. Г. Гладышевb, Л. Я. Карачинскийabc, И. И. Новиковabc, А. А. Блохинa, М. А. Бобровa, Н. А. Малеевa, А. Г. Кузьменковd, А. М. Надточийe, В. Н. Неведомскийf, В. В. Андрюшкинb, С. С. Рочасb, Д. В. Денисовg, К. О. Воропаевh, И. О. Жумаеваh, В. М. Устиновd, А. Ю. Егоровc, В. Е. Бугровb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
d Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
e Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал)
f Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, ЦКП "Материаловедение и диагностика в передовых технологиях", Санкт-Петербург, Россия
g Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
h АО "ОКБ-Планета", г. Великий Новгород
PDF полного текста (967 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2021.12.51767.240-21
Аннотация: Методами рентгеноструктурного анализа и спектроскопии фотолюминесценции проведены исследования выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур на основе сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для активных областей лазеров спектрального диапазона 1300 nm. Показано, что созданные гетероструктуры обладают высоким кристаллическим совершенством. Величина рассогласования средней постоянной кристаллической решетки сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs относительно постоянной кристаллической решетки подложки InP оценена на уровне $\sim$+0.01%. Анализ спектров фотолюминесценции позволил сделать вывод о том, что в исследованном диапазоне уровней накачки вклад оже-рекомбинации несущественен. Исследования вертикально-излучающих лазеров с активной областью на основе сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs позволили для стандартной логарифмической аппроксимации зависимости усиления от плотности тока накачки оценить параметр усиления на уровне 650 cm$^{-1}$. При умеренных температурах (20 – 60$^\circ$C) плотность тока прозрачности лазеров лежит в диапазоне 400 – 630 A/cm$^{2}$, что сопоставимо с опубликованными результатами для активных областей на основе InAlGaAs–InP КЯ и сильнонапряженных квантовых ям InGaAsN–GaAs спектрального диапазона 1300 nm.
Ключевые слова: сверхрешетка, вертикально-излучающий лазер, оптическое усиление.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 2019-1442
Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, проект тематики научных исследований № 2019-1442. Анализ рентгенодифракционных кривых выполнен с использованием ЦКП “Материаловедение и диагностика в передовых технологиях” (ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург).
Поступила в редакцию: 19.08.2021
Исправленный вариант: 02.09.2021
Принята в печать: 03.09.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Блохин, А. В. Бабичев, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. А. Блохин, М. А. Бобров, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, А. М. Надточий, В. Н. Неведомский, В. В. Андрюшкин, С. С. Рочас, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, И. О. Жумаева, В. М. Устинов, А. Ю. Егоров, В. Е. Бугров, “Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm”, ЖТФ, 91:12 (2021), 2008–2017
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BloBabGla21}
\by С.~А.~Блохин, А.~В.~Бабичев, А.~Г.~Гладышев, Л.~Я.~Карачинский, И.~И.~Новиков, А.~А.~Блохин, М.~А.~Бобров, Н.~А.~Малеев, А.~Г.~Кузьменков, А.~М.~Надточий, В.~Н.~Неведомский, В.~В.~Андрюшкин, С.~С.~Рочас, Д.~В.~Денисов, К.~О.~Воропаев, И.~О.~Жумаева, В.~М.~Устинов, А.~Ю.~Егоров, В.~Е.~Бугров
\paper Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm
\jour ЖТФ
\yr 2021
\vol 91
\issue 12
\pages 2008--2017
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf4847}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2021.12.51767.240-21}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46647927}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf4847
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v91/i12/p2008
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024