Формирование мелкодисперсного термоэлектрика Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ при электроимпульсном плазменном спекании

Проведено исследование кинетики диффузионных процессов, происходящих при формировании наноструктур поликристаллического Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ ($x$ = 0.20, 0.35) методом электроимпульсного плазменного спекания в интервале температур 20 – 1200$^\circ$C. На основе комплексного исследования микроструктуры и фазового состава образцов с размерами частиц от 150 nm до 100 $\mu$m совместно с анализом экспериментальных карт спекания изучен механизм формирования твердого раствора Si-Ge. Показано, что при выбранных режимах спекания размер зерен сформированного SiGe соответствует размеру частиц исходного порошка.