|
Журнал технической физики, 1986, том 56, выпуск 11, страницы 2145–2151
(Mi jtf443)
|
|
|
|
Электрожидкостная эпитаксия: новый подход к управлению составом
эпитаксиальных слоев твердых растворов соединений A$^{3}$B$^{5}$
В. М. Арутюнян, К. М. Гамбарян, В. А. Геворкян Ереванский государственный университет
Аннотация:
Рассматривается новый подход к управлению составом выращиваемых
эпитаксиальных слоев твердых растворов, основанный на контролируемой
подпитке жидкой фазы отдельным элементом с использованием электрического
тока. Приводятся результаты по выращиванию данным способом эпитаксиальных
слоев InAs и варизонных структур InAs$_{1-x}$P$_{x}$ (${x\leqslant0.07}$)
с увеличивающейся к поверхности пленки шириной запрещенной зоны при подпитке
жидкой фазы мышьяком и фосфором. Методом рентгеноспектрального микроанализа
определен профиль распределения компонентов по толщине пленок твердого
раствора. Получены и проанализированы зависимости толщины слоев InAs и
InAs$_{1-x}$P$_{x}$ от плотности электрического тока и времени его пропускания.
На основании сравнения расчетных и экспериментальных данных вычислено значение
${\mu_{\text{As}}\rho_{\text{In$-$As}}=3.5\cdot10^{-7}\,\text{см}^{3}/\text{с}\cdot\text{А}}$
при ${T_{0}= 550^{\circ}}$С. Исследованы сколы структур
InAs$-$InAs$_{1-x}$P$_{x}$ и морфология поверхности слоев InAs$_{1-x}$P$_{x}$,
полученных при разных режимах роста. Установлено, что при постоянном значении
плотности электрического тока с увеличением времени роста происходит
относительное ухудшение качества поверхности пленок InAs$_{1-x}$P$_{x}$.
Поступила в редакцию: 18.10.1985
Образец цитирования:
В. М. Арутюнян, К. М. Гамбарян, В. А. Геворкян, “Электрожидкостная эпитаксия: новый подход к управлению составом
эпитаксиальных слоев твердых растворов соединений A$^{3}$B$^{5}$”, ЖТФ, 56:11 (1986), 2145–2151
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf443 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v56/i11/p2145
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 33 | PDF полного текста: | 19 |
|