Исследование волноводных модуляторов света на эффекте Франца–Келдыша при неоднородном распределении коэффициента поглощения по толщине волновода

Проведены экспериментальные исследования волноводных модуляторов света на эффекте Франца–Келдыша на основе автоэпитаксиальных структур Аl${-(n{-}n^{+})$GaAs}. Исследованы процессы поглощения света в условиях, когда ширина области пространственного заряда меньше толщины волноводного слоя ${W < d}$. Экспериментально и теоретически показано, что при таком режиме работы в двухмодовом модуляторе (${d=4}$ мкм) мода $TE_{1}$ поглощается в большей степени, чем мода $TE_{0}$. В многомодовом модуляторе (${d=8}$ мкм) эффективность модуляции, оцениваемая по интегральной величине контраста, зависит от характера распределения интенсивности света под электродом. В условиях неоднородного поглощения в активной области волновода распределение интенсивности модулируемого света на выходе модулятора зависит не только от величины управляющего напряжения, но и от расстояния электрода до выходного торца волновода.