Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 1991, том 61, выпуск 9, страницы 130–140 (Mi jtf4412)  
Поверхность, электронная и ионная эмиссия

Туннельный механизм образования отрицательных ионов при парных столкновениях атомов вблизи поверхности катода

Ю. В. Красняк, О. А. Синкевич
PDF полного текста (1257 kB)
Аннотация: Рассмотрена задача об образовании отрицательных ионов вблизи поверхности электрода при парных столкновениях нейтральных атомов. Решение задачи получено методом потенциала нулевого радиуса. Получено выражение для вероятности рассматриваемого процесса в широком диапазоне температур и напряженностей электрического поля.
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. В. Красняк, О. А. Синкевич, “Туннельный механизм образования отрицательных ионов при парных столкновениях атомов вблизи поверхности катода”, ЖТФ, 61:9 (1991), 130–140
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Sin91}
\by Ю.~В.~Красняк, О.~А.~Синкевич
\paper Туннельный механизм образования отрицательных ионов при~парных
столкновениях атомов вблизи поверхности катода
\jour ЖТФ
\yr 1991
\vol 61
\issue 9
\pages 130--140
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf4412}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf4412
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v61/i9/p130
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024