Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 1991, том 61, выпуск 9, страницы 102–106 (Mi jtf4408)  
Радиофизика

О емкости заполненного анизотропным полупроводником квадрупольного конденсатора

Н. А. Гусак, А. Ф. Гриб, Ю. Э. Камач, Л. Л. Шапиро
PDF полного текста (599 kB)
Аннотация: Показано, что емкость квадрупольного конденсатора, заполненного анизотропным полупроводником, монотонно уменьшается от своего максимального до минимального значения с ростом частоты изменения напряжения на его электродах. Это обусловлено возникающим в объеме кристалла избыточным зарядом, уменьшающимся от некоторого максимального значения при постоянном напряжении до нуля по мере увеличения частоты.
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Гусак, А. Ф. Гриб, Ю. Э. Камач, Л. Л. Шапиро, “О емкости заполненного анизотропным полупроводником квадрупольного конденсатора”, ЖТФ, 61:9 (1991), 102–106
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Gus91}
\by Н.~А.~Гусак, А.~Ф.~Гриб, Ю.~Э.~Камач, Л.~Л.~Шапиро
\paper О~емкости заполненного анизотропным полупроводником квадрупольного
конденсатора
\jour ЖТФ
\yr 1991
\vol 61
\issue 9
\pages 102--106
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf4408}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf4408
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v61/i9/p102
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024