Особенности работы быстродействующих фоторезисторов с барьерами Шоттки

Исследованы фотоприемники с конструкцией фоторезистора на основе однородного арсенида галлия, компенсированного хромом и кислородом с удельным сопротивлением $\sim 10^{6}$ Ом $\cdot$ см, с перекрывающимися областями обеднения контактов Шоттки. Показано, что в электрических полях выше $1.3\cdot 10^{3}$ В/см фоточувствительность стремится к насыщению, быстродействие падает, а вольт-амперная характеристика суперлинейна из-за ударной ионизации электронно-колебательных центров с глубокими энергетическими уровнями при участии акустических фононов. Измерены энергии уровней и частоты фононов. Фононы способны стимулировать ударную ионизацию центров. Поперечное к току магнитное поле с индукцией до 1.8 Тл устраняет ударную ионизацию в электрических полях вплоть до пробоя, что может способствовать увеличению быстродействия и фоточувотвительности приборов.