О механизме разрушения кремниевых структур с диэлектрической изоляцией при их импульсном джоулевом разогреве

Рассмотрены возможные механизмы разрушения кремниевых структур с диэлектрической оболочкой при импульсных электрических воздействиях вдоль границы Si$-$SiO$_{2}$. Показано, что в условиях быстрого джоулевого разогрева основной причиной разрушения является перегрев жидкой фазы полупроводника. Характер выброса парокапельной смеси и возникновение при этом ударных волн связаны с тем, является поверхностным или объемным вскипание кремния.