Выращивание соединений в системе Yb$-$Ba$-$Cu$-$O с использованием молекулярного пучка BaO

Проведено исследование процессов роста в системе Yb$-$Ва$-$Си$-$О$-$F с использованием пучков Yb, Сu, ВаО, BaF$_{2}$ на различных подложках. Показано, что при определенных условиях пленки окислов можно получить в данном методе и без использования потоков молекулярного кислорода. Коэффициент прилипания атомов меди и иттербия при этом существенно меньше единицы, а тип подложки оказывает определяющее влияние на химический и фазовый состав выращиваемой пленки.