Границы механизмов электрического пробоя н-гексана в квазиоднородном поле

С помощью высокоскоростной лазерной шлирен-регистрации и статистического анализа исследовался электрический пробой н-гексана в квазиоднородном поле при напряженностях ${\sim0.9{-}2.1}$ МВ/см. Показано существование трех механизмов пробоя. Один соответствует электрическому разряду с катода, а два — с анода. Определены границы механизмов пробоя и их зависимость от длины разрядного промежутка. Установлена прямая корреляция результатов оптических и статистических исследований. Анализ полученных результатов показывает, что существование некоторого критического времени и расстояния между электродами связано с переходом от механизма пробоя с катода («пузырькового») к электрическому разряду с анода, содержащему в себе элементы и «пузырькового», и ионизационного механизмов пробоя.