Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 1986, том 56, выпуск 10, страницы 2041–2043 (Mi jtf418)  
Краткие сообщения

Особенности развития электрического пробоя H-гексана в микронаносекундном диапазоне

В. Ф. Климкин

Новосибирский государственный университет им. Ленинского комсомола
PDF полного текста (5052 kB)
Поступила в редакцию: 16.08.1985
Исправленный вариант: 30.05.1986
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 537.521.7
Образец цитирования: В. Ф. Климкин, “Особенности развития электрического пробоя H-гексана в микронаносекундном диапазоне”, ЖТФ, 56:10 (1986), 2041–2043
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Kli86}
\by В.~Ф.~Климкин
\paper Особенности развития электрического пробоя H-гексана
в~микронаносекундном диапазоне
\jour ЖТФ
\yr 1986
\vol 56
\issue 10
\pages 2041--2043
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf418}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf418
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v56/i10/p2041
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024