Измерение температуры поверхности подложки in situ при МПЭ GaAs (001) с применением ДОБЭ

При использовании данных по фазовой диаграмме поверхности GaAs (001) и измерения временных осцилляции интенсивности картин дифракции отраженных быстрых электронов (ДОБЭ) во время молекуляряо-пучковой эпитаксии (МПЭ) проведено изучение эффективности радиационного нагрева поверхности GaAs (001) подложки при различных вариантах ее расположения относительно излучающего нагревателя. Показано, что точность измерения температуры поверхности по фазовой диаграмме не хуже $\pm10$ K, а максимальная эффективность радиационного нагрева достигается при использовании «In-free» подложкодержателя.