|
Журнал технической физики, 1990, том 60, выпуск 10, страницы 100–106
(Mi jtf4028)
|
|
|
|
Оптика, квантовая электроника
Кинетическая модель рекомбинационных лазеров на переходах атома
ксенона. I. Механизм генерации и параметры плазмы
А. М. Воинов, С. П. Мельников, А. А. Синянский
Аннотация:
Выполнен анализ кинетики плазменных процессов в ИК лазерах
на переходах $5d{-}6p$ атома Xe. Проведены расчеты
концентраций компонент плазмы и скоростей образования возбужденных атомов
ксенона для смесей He$-$Xe, Ar$-$Xe, возбуждаемых осколками деления урана.
Показано, что основным каналом заселения уровней $5d$ является
диссоциативная рекомбинация молекулярных ионов Xe$_{2}^{+}$ с электронами.
Образец цитирования:
А. М. Воинов, С. П. Мельников, А. А. Синянский, “Кинетическая модель рекомбинационных лазеров на переходах атома
ксенона. I. Механизм генерации и параметры плазмы”, ЖТФ, 60:10 (1990), 100–106
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf4028 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v60/i10/p100
|
|