Расчет МДП структуры с квазиодномерным электронным газом

Полный расчет МДП структуры с квазиодномерным электронным газом в широком диапазоне температур возможен лишь в результате решения специфической задачи двумерного нелинейного экранирования. В области очень слабого обогащения возможен приближенншй расчет распределения потенциала в структуре, так как вклады неподвижных зарядов ионизованных доноров и подвижных зарядов носителей удается разделить. На основе проведенных в больцмановской статистике расчетов и при использовании ряда допущений проанализированы структуры на высоколегированных подложках ($10^{17}\,\text{см}^{-3}$) с металлургической шириной канала 0.5$-$0.6 мкм.
Сделан вывод о возможности создания в режиме слабого обогащения сверхузких квазиодномерных каналов и для делокализованных носителей.