Особенности процесса рекомбинации свободных атомов кислорода O(${}^{3}P$) на электропроводящей поверхности стекла

Обнаружена зависимость скорости гетерогенной рекомбинации атомов O(${}^{3}P$) от концентрации подвижных ионов щелочных металлов вблизи поверхности стекла, что может быть связано с эффективной передачей энергии, выделяющейся в акте рекомбинации, ионной подсистеме стекла. Установлен механизм влияния плазмы на скорость этой реакции. Предложен механизм тепловой неустойчивости, связанной с влиянием плазмы на скорость рекомбинации атомов O(${}^{3}P$).