Исследования электронной подсистемы оксидных сегнетоэлектриков методом вторичной электронной эмиссии

Разработан и теоретически обоснован метод анализа электронной структуры, электрофизических и физико-химических параметров оксидных сегнетоэлектриков с помощью вторично-электронной эмиссии в растровом электронном микроскопе. Проведенные исследования кристаллов SrTiO$_{3}$, BaTiO$_{3}$, KNbO$_{3}$ показали хорошее согласие измеренных значений $\Delta E$, $T_{C}$, $\lambda/C$, $T_{0}$ с литературными данными либо с величинами, полученными другими методами.