Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 1990, том 60, выпуск 4, страницы 83–87 (Mi jtf3808)  

Газовый разряд, плазма

Влияние поперечного магнитного поля на катодный слой тлеющего разряда

Б. Я. Мойжес, В. А. Немчинский
Аннотация: Рассматривается катодный слой тлеющего разряда в магнитном поле, параллельном поверхности катода. Показывается, что включение магнитного поля увеличивает катодное падение при малых плотностях тока и уменьшает его при больших. В результате ВАХ, построенная в координатах $V_{k}{-}\ln j$, смещается на величину $(3/2) \ln (1+\omega^{2}\tau^{2})$ в сторону больших токов ($\omega$ и $\tau$ — циклотронная частота электрона и время его релаксации). Это означает соответствующее увеличение нормальной плотности тока. Подробно обсуждается причина такого эффекта.
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Б. Я. Мойжес, В. А. Немчинский, “Влияние поперечного магнитного поля на катодный слой тлеющего разряда”, ЖТФ, 60:4 (1990), 83–87
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by Б.~Я.~Мойжес, В.~А.~Немчинский
\paper Влияние поперечного магнитного поля на~катодный слой тлеющего разряда
\jour ЖТФ
\yr 1990
\vol 60
\issue 4
\pages 83--87
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf3808}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf3808
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v60/i4/p83
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:21
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024