|
Журнал технической физики, 1990, том 60, выпуск 4, страницы 72–76
(Mi jtf3806)
|
|
|
|
Теоретическая и математическая физика
Об устойчивости ионного пучка в слое со скрещенными $\mathbf{E}\perp
\mathbf{ H}$ полями
и замагниченным электронным фоном
М. И. Гехтман, А. А. Гончаров
Аннотация:
В рамках линейного гидродинамического
описания рассматривается диссипативная неустойчивость
стационарных состояний пространственно неоднородного
компенсированного ионного пучка в слое со
скрещенными $\mathbf{E}\perp \mathbf{H}$ полями
при произвольном соотношении $\Delta V/V_{0}$,
где $\Delta V$ — изменение начальной скорости
пучка $V_{0}$ на длине слоя.
Найден явный вид пространственного изменения
амплитуды начальных возмущения коротковолновых колебаний,
распространяющихся вдоль пучка. Показано,
в частности, что стабилизирующее влияние ускоряющего поля
проявляется в том, что на заданной длине
диодного промежутка колебания не успевают развиться. Полученные
результаты могут быть применены при исследовании
устойчивости стационарных состояний ускоряющих и
доускоряющих магнитоизолированных диодных систем, а также рекуператоров.
Образец цитирования:
М. И. Гехтман, А. А. Гончаров, “Об устойчивости ионного пучка в слое со скрещенными $\mathbf{E}\perp
\mathbf{ H}$ полями
и замагниченным электронным фоном”, ЖТФ, 60:4 (1990), 72–76
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf3806 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v60/i4/p72
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 40 | PDF полного текста: | 21 |
|