Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 1990, том 60, выпуск 4, страницы 72–76 (Mi jtf3806)  

Теоретическая и математическая физика

Об устойчивости ионного пучка в слое со скрещенными $\mathbf{E}\perp \mathbf{ H}$ полями и замагниченным электронным фоном

М. И. Гехтман, А. А. Гончаров
Аннотация: В рамках линейного гидродинамического описания рассматривается диссипативная неустойчивость стационарных состояний пространственно неоднородного компенсированного ионного пучка в слое со скрещенными $\mathbf{E}\perp \mathbf{H}$ полями при произвольном соотношении $\Delta V/V_{0}$, где $\Delta V$ — изменение начальной скорости пучка $V_{0}$ на длине слоя.
Найден явный вид пространственного изменения амплитуды начальных возмущения коротковолновых колебаний, распространяющихся вдоль пучка. Показано, в частности, что стабилизирующее влияние ускоряющего поля проявляется в том, что на заданной длине диодного промежутка колебания не успевают развиться. Полученные результаты могут быть применены при исследовании устойчивости стационарных состояний ускоряющих и доускоряющих магнитоизолированных диодных систем, а также рекуператоров.
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. И. Гехтман, А. А. Гончаров, “Об устойчивости ионного пучка в слое со скрещенными $\mathbf{E}\perp \mathbf{ H}$ полями и замагниченным электронным фоном”, ЖТФ, 60:4 (1990), 72–76
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Gon90}
\by М.~И.~Гехтман, А.~А.~Гончаров
\paper Об~устойчивости ионного пучка в~слое со~скрещенными $\mathbf{E}\perp
\mathbf{ H}$ полями
и~замагниченным электронным фоном
\jour ЖТФ
\yr 1990
\vol 60
\issue 4
\pages 72--76
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf3806}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf3806
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v60/i4/p72
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:21
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024