Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 1990, том 60, выпуск 3, страницы 153–161 (Mi jtf3786)  
Твердотельная электроника

О механизме нестационарного электрооптического отклика в кристаллах Bi$_{12}$SiO$_{20}$

А. В. Быкадоров, Н. И. Кацавец, Е. И. Леонов
PDF полного текста (1245 kB)
Аннотация: Исследован нестационарный электрооптический отклик (ЭОО) в оптически активных кристаллах Bi$_{12}$SiO$_{20}$ при воздействии внешних подсветок. Обнаружен немонотонный характер релаксации ЭОО при фотовозбуждении светом из сине-зеленой области спектра. Выяснен механизм нестационарного немонотонного ЭОО. Выполненные теоретические расчеты хорошо согласуются с экспериментальными результатами.
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Быкадоров, Н. И. Кацавец, Е. И. Леонов, “О механизме нестационарного электрооптического отклика в кристаллах Bi$_{12}$SiO$_{20}$”, ЖТФ, 60:3 (1990), 153–161
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KatLeo90}
\by А.~В.~Быкадоров, Н.~И.~Кацавец, Е.~И.~Леонов
\paper О~механизме нестационарного электрооптического отклика
в~кристаллах~Bi$_{12}$SiO$_{20}$
\jour ЖТФ
\yr 1990
\vol 60
\issue 3
\pages 153--161
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf3786}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf3786
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v60/i3/p153
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024