Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 1990, том 60, выпуск 1, страницы 43–47 (Mi jtf3682)  

Теоретическая и математическая физика

К теории приэлектродного слоя с немонотонным ходом потенциала

В. Н. Сидельников
Аннотация: Анализируется ход потенциала в приэлектродном слое в бесстолкновительном приближении. Распределения электронов и ионов на границах с электродом и с плазмой представлены в виде максвелловских функции, а распределение ионов, летящих из плазмы, ускорено на переходном слое в плазме на $\varphi_{0} \simeq 0.1$ эВ. Для немонотонного барьера, задерживающего электроны, летящие из плазмы, получена простая интерполяционная формула.
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Н. Сидельников, “К теории приэлектродного слоя с немонотонным ходом потенциала”, ЖТФ, 60:1 (1990), 43–47
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by В.~Н.~Сидельников
\paper К~теории приэлектродного слоя с~немонотонным ходом потенциала
\jour ЖТФ
\yr 1990
\vol 60
\issue 1
\pages 43--47
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf3682}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf3682
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v60/i1/p43
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024