Особенности формирования твердой фазы при контактной смене растворов: рост GaAs на поверхности AlGaAs

Теоретически и экспериментально показано, что при смене раствора Аl$-$Ga$-$As на Ga$-$As путем выталкивания их друг другом предварительно выращенная пленка AlGaAs частично растворяется даже в том случае, если промывающий раствор пересыщен. Путем специального подбора режимов промывки были выращены гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переходным слоем по алюминию около 25 нм.