Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 1989, том 59, выпуск 6, страницы 59–65 (Mi jtf3348)  
Твердое тело

Влияние толщины фотоэмиттера на характеристики пучка поляризованных электронов

Ю. П. Яшин, А. Н. Андронов, А. И. Климин, В. И. Майор, Ю. А. Мамаев, А. Е. Роднянский
PDF полного текста (850 kB)
Аннотация: Теоретически и экспериментально исследованы зависимости квантового выхода и степени поляризации вышедших в вакуум фотоэлектронов от толщины эмигрирующего слоя $p$-GaAs (100). Определены условия получения максимального критерия качества источников поляризованных электронов фотоэмиссионного типа.
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. П. Яшин, А. Н. Андронов, А. И. Климин, В. И. Майор, Ю. А. Мамаев, А. Е. Роднянский, “Влияние толщины фотоэмиттера на характеристики пучка поляризованных электронов”, ЖТФ, 59:6 (1989), 59–65
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Kli89}
\by Ю.~П.~Яшин, А.~Н.~Андронов, А.~И.~Климин, В.~И.~Майор, Ю.~А.~Мамаев, А.~Е.~Роднянский
\paper Влияние толщины фотоэмиттера на характеристики пучка поляризованных
электронов
\jour ЖТФ
\yr 1989
\vol 59
\issue 6
\pages 59--65
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf3348}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf3348
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v59/i6/p59
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025