Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 1989, том 59, выпуск 3, страницы 99–105 (Mi jtf3250)  

Оптика, квантовая электроника

Роль электрического поля объемного заряда в процессе преобразования энергии СЭП в ионных кристаллах

В. Ф. Штанько, В. И. Олешко
Аннотация: Исследована зависимость пространственного распределения энергии СЭП в ионных кристаллах от плотности энергии пучка в пределах $0.05{-}1.17\,\text{Дж/см}^{2}$. Установлено, что негомогенное выделение энергии в возбуждаемом объеме монокристаллов при плотностях энергии СЭП ${\gtrsim0.1\,\text{Дж/см}^{2}}$ связано с развитием стримерных разрядов в электрическом поле объемного заряда, создаваемого СЭП в мишени.
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Ф. Штанько, В. И. Олешко, “Роль электрического поля объемного заряда в процессе преобразования энергии СЭП в ионных кристаллах”, ЖТФ, 59:3 (1989), 99–105
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShtOle89}
\by В.~Ф.~Штанько, В.~И.~Олешко
\paper Роль электрического поля объемного заряда в~процессе преобразования
энергии СЭП в~ионных кристаллах
\jour ЖТФ
\yr 1989
\vol 59
\issue 3
\pages 99--105
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf3250}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf3250
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v59/i3/p99
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024