|
Журнал технической физики, 1986, том 56, выпуск 8, страницы 1598–1610
(Mi jtf323)
|
|
|
|
Доменная структура сверхпроводящих пленок в состоянии андерсоновской
локализации
Ю. М. Иванченко, П. Н. Михеенко, Я. И. Южелевский Донецкий физико-технический институт АН УССР
Аннотация:
Исследованы резистивные и нормальные домены
сверхпроводящих пленок в состоянии слабой андерсоновской локализации.
Впервые осуществлено прямое визуальное наблюдение за ними, которое
становится возможным вследствие развития в окружающем жидком гелии режимов
пузырькового и пленочного кипения. Режим пузырькового кипения в условиях
слабого избыточного давления паров над гелиевой ванной обладает высокой
чувствительностью и позволяет регистрировать резистивные домены с температурой
перегрева в центре по крайней мере в 0.01 K. Изучена структура доменов на
разных этапах их формирования, получены и проанализированы их вольт-амперные
характеристики. Исследована динамика резистивных и нормальных доменов:
процесс их роста, движение под действием различных сил, условия генерации,
стабилизации и взаимодействия с дефектами структуры. Проведено теоретическое
описание движения нормальных доменов под действием архимедовой силы.
Поступила в редакцию: 16.08.1985
Образец цитирования:
Ю. М. Иванченко, П. Н. Михеенко, Я. И. Южелевский, “Доменная структура сверхпроводящих пленок в состоянии андерсоновской
локализации”, ЖТФ, 56:8 (1986), 1598–1610
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf323 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v56/i8/p1598
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 41 | PDF полного текста: | 15 |
|