Сегнетоэлектрические пленки (K, Na)NbO$_{3}$, полученные ВЧ катодным распылением

Тонкие пленки состава (К, Na)NbO$_{3}$ были получены ВЧ катодным распылением, «вписывающимся» в технологию микроэлектроники и интегральной оптики. Монофазные пленки с достаточно четко выраженными сегнетоэлектрическими свойствами (структурные фазовые переходы, диэлектрические аномалии, петли диэлектрического гистерезиса, домены) образовывались в широких интервалах варьирования условий формирования.
Впервые зарегистрированы изменения структуры при фазовых переходах в поликристаллических сегнетоэлектрических пленках.
Установлено, что отсутствие расщепления рефлексов на рентгеновских дифрактограммах поликристаллических сегнетоэлектрических пленок является следствием формирования своеобразной доменной текстуры из-за действия со стороны подложек механических напряжений.