Использование эффекта переключения в неупорядоченных полупроводниках для формирования пикосекундных перепадов электрического напряжения

Экспериментально в неупорядоченных пленках In$_{x}$Te$_{1-x}$, Ga$_{x}$Te$_{1-x}$, Ge$_{x}$Te$_{1-x}$ и Si$_{x}$Te$_{1-x}$ изучен эффект переключения, в результате которого формируется перепад электрического напряжения длительностью в несколько десятков пикосекунд. Установлены факторы, влияющие на длительность этого перепада. В схеме обострителя, используя в качестве механизма переключения процесс ударной ионизации, проведен анализ параметров сформированного импульса.