Планарное каналирование в толстых кристаллах

Рассмотрено прохождение электронов через толстые монокристаллы с учетом многократного рассеяния и получено асимптотическое выражение для функции распределения по поперечной энергии. Показано, что перераспределение потока и избыточный выход $\delta$-электронов имеют место и на больших глубинах $t$ и определяются квазиравновесием между деканалированием и объемным захватом. Из-за углового расширения пучка они релаксируют к нулю как $1/\sqrt{t}$. Поглощение $\delta$-электронов приводит к насыщению их избыточного выхода из толстого монокристалла в соответствии с экспериментальными измерениями.