Увеличение падения напряжения в инжекционном лазере под влиянием внешней оптической обратной связи

Представлены некоторые результаты исследования влияния внешней оптической обратной связи на падение напряжения в инжекционных лазерах на основе Ga$-$Al$-$As. Получено, что для этих лазеров характерным является уменьшение напряжения при введении внешней связи на величину порядка 1 мВ. Однако в серии лазеров, излучающих в области спектра 0.76 мкм, обнаружено необычно большее увеличение падения напряжения до 25 мВ. Эффект объясняется присутствием большого тока утечки электронов из активной области лазера.