|
Журнал технической физики, 1988, том 58, выпуск 4, страницы 800–810
(Mi jtf2831)
|
|
|
|
Комптоновское рассеяние в условиях дифракции рентгеновских лучей как
метод исследования электронной структуры кристаллов
В. А. Бушуев
Аннотация:
Построена динамическая теория комптоновского рассеяния
(КР) рентгеновских лучей в совершенных монокристаллах, учитывающая
когерентное рассеяние как внешнего, так и неупруго рассеянного излучения.
Получены общие выражения для спектральной интенсивности когерентного КР
в геометриях Брэгга и Лауэ. На основе блоховского формализма рассмотрены
парциальные сечения когерентного КР. Обсуждается влияние интерференционного
сечения КР и геометрии рассеяния на кривые выхода комптоновских квантов.
Показано, что в резко асимметричных схемах дифракции значительно возрастает
чувствительность кривых выхода когерентного КР к распределению электронной
плотности. Комптоновское рассеяние в условиях дифракции может эффективно
использоваться как новый метод
анализа электронной структуры кристаллов.
Образец цитирования:
В. А. Бушуев, “Комптоновское рассеяние в условиях дифракции рентгеновских лучей как
метод исследования электронной структуры кристаллов”, ЖТФ, 58:4 (1988), 800–810
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf2831 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v58/i4/p800
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 41 | PDF полного текста: | 15 |
|