Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 1988, том 58, выпуск 4, страницы 728–733 (Mi jtf2820)  

Формирование однородных магнитных полей в дипольных магнитах ускорителей заряженных частиц

В. С. Кашихин, Е. А. Ламзин
Аннотация: Изложена методика расчета профиля полюса дипольного магнита для формирования однородных магнитных полей на основе синтеза аналитического и численного подходов. Получен ряд соотношений, связывающих геометрические параметры профиля полюса с величиной неоднородности магнитного поля в апертуре магнита. Приводятся результаты применения изложенной методики к формированию профиля полюса конкретного дипольного магнита.
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. С. Кашихин, Е. А. Ламзин, “Формирование однородных магнитных полей в дипольных магнитах ускорителей заряженных частиц”, ЖТФ, 58:4 (1988), 728–733
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by В.~С.~Кашихин, Е.~А.~Ламзин
\paper Формирование однородных магнитных полей в~дипольных магнитах
ускорителей заряженных частиц
\jour ЖТФ
\yr 1988
\vol 58
\issue 4
\pages 728--733
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf2820}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf2820
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v58/i4/p728
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:30
    PDF полного текста:30
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024