|
Журнал технической физики, 1983, том 53, выпуск 11, страницы 2189–2194
(Mi jtf2627)
|
|
|
|
Низковалентные катионы и электронные свойства аморфных оксидов ниобия
и тантала
Ю. П. Костиков, Д. В. Костров, Г. Ф. Томиленко, С. Д. Ханин
Аннотация:
Приведены результаты рентгеновской фотоэлектронной
и оптической спектроскопии аморфных оксидных пленок на ниобии и тантале
в исходном состоянии и после термообработки в различных условиях. Установлено,
что при термообработке оксидов в вакууме при температуре 500$-$750 K
повышается концентрация низковалентных, по сравнению с предельной степенью
окисления, основных катионов. Экспериментально показано, что увеличение
концентрации низковалентных катионов с повышением температуры нагрева образцов
приводит к экспоненциальному росту электрической проводимости. Обнаружено, что
термообработка оксидных слоев при определенных условиях приводит к уменьшению
концентрации низковалентных основных катионов и, как следствие, к уменьшению
электрической проводимости. Полученные результаты объясняются в предположении,
что в близкой к идеальной (полностью скоординированной) структуре аморфных
оксидов низковалентные основные катионы представляют
собой локализованные дефекты типа оборванных связей.
Образец цитирования:
Ю. П. Костиков, Д. В. Костров, Г. Ф. Томиленко, С. Д. Ханин, “Низковалентные катионы и электронные свойства аморфных оксидов ниобия
и тантала”, ЖТФ, 53:11 (1983), 2189–2194
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf2627 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v53/i11/p2189
|
|