Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 1983, том 53, выпуск 9, страницы 1830–1833 (Mi jtf2551)  
Определение профиля захваченного в нитриде кремния заряда

Ю. М. Ширшов, А. В. Набок
PDF полного текста (611 kB)
Аннотация: Путем измерения временно́й зависимости тока смещения в системе электролит–нитрид кремния–окисел–полупроводник в процессе химического травления диэлектрика определены профиль захваченного заряда и распределение электрического поля в нитриде кремния. Обнаружена область повышенной концентрации центров захвата с энергией активации 0.95 эВ вблизи внешней границы пленки нитрида кремния.
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. М. Ширшов, А. В. Набок, “Определение профиля захваченного в нитриде кремния заряда”, ЖТФ, 53:9 (1983), 1830–1833
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by Ю.~М.~Ширшов, А.~В.~Набок
\paper Определение профиля захваченного в~нитриде кремния заряда
\jour ЖТФ
\yr 1983
\vol 53
\issue 9
\pages 1830--1833
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf2551}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf2551
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v53/i9/p1830
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024