Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 1983, том 53, выпуск 7, страницы 1408–1411 (Mi jtf2461)  
Краткие сообщения

Торцевые спонтанные излучатели на основе ДГС InGaAsP (${\lambda\approx1.3}$ мкм) с ${\eta_{e}\approx6}$% при 300 K

Д. З. Гарбузов, К. А. Гацоев, А. Т. Гореленок, А. Г. Дзигасов, Н. Д. Ильинская, В. Б. Халфин
PDF полного текста (645 kB)
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. З. Гарбузов, К. А. Гацоев, А. Т. Гореленок, А. Г. Дзигасов, Н. Д. Ильинская, В. Б. Халфин, “Торцевые спонтанные излучатели на основе ДГС InGaAsP (${\lambda\approx1.3}$ мкм) с ${\eta_{e}\approx6}$% при 300 K”, ЖТФ, 53:7 (1983), 1408–1411
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GarGorIli83}
\by Д.~З.~Гарбузов, К.~А.~Гацоев, А.~Т.~Гореленок, А.~Г.~Дзигасов, Н.~Д.~Ильинская, В.~Б.~Халфин
\paper Торцевые спонтанные излучатели на основе
ДГС InGaAsP (${\lambda\approx1.3}$\,мкм) с ${\eta_{e}\approx6}$\% при 300\,K
\jour ЖТФ
\yr 1983
\vol 53
\issue 7
\pages 1408--1411
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf2461}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf2461
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v53/i7/p1408
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024