О возможности построения фотодиодных матриц с накоплением неосновных носителей заряда в базовых областях диодов

Выполнен расчет характеристик ячеек многоэлементных фотоприемников с накоплением неосновных носителей заряда в базовых областях диодов. Рассмотрено влияние толщин базовых областей диодов на скорость считывания сигнала и эффективность работы многоэлементных фотоприемников. Оценено значение скорости поверхностной рекомбинации неосновных носителей на границах базовых областей диодов, не приводящее к существенным потерям полезного сигнала. Отмечается, что основным достоинством приборов этого типа является возможность использования фотодиодов оптимальной конструкции, обеспечивающих высокую квантовую эффективность в широком спектральном диапазоне принимаемых световых сигналов.