|
Журнал технической физики, 1983, том 53, выпуск 6, страницы 1143–1146
(Mi jtf2381)
|
|
|
|
О возможности улучшения параметров мощных быстродействующих
кремниевых приборов, подвергнутых облучению
$\gamma$-квантами Co$^{60}$
И. В. Грехов, Л. А. Делимова
Аннотация:
Сообщается о возможности улучшения параметров
мощных быстродействующих Si приборов, заключающейся в том, что
$\gamma$-облученные Si $p{-}n$ переходы подвергаются режиму
термообработки, в результате которой радиационный дефект, вызывающий рост
генерационного тока, отжигается, а концентрация РД, контролирующего время
жизни носителей, остается без изменения.
Образец цитирования:
И. В. Грехов, Л. А. Делимова, “О возможности улучшения параметров мощных быстродействующих
кремниевых приборов, подвергнутых облучению
$\gamma$-квантами Co$^{60}$”, ЖТФ, 53:6 (1983), 1143–1146
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf2381 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v53/i6/p1143
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 59 | PDF полного текста: | 12 |
|