Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 1983, том 53, выпуск 3, страницы 545–549 (Mi jtf2240)  
К вопросу о кинетике роста в равновесной электрожидкостной эпитаксии

В. А. Геворкян, Л. В. Голубев, А. Е. Хачатрян, Ю. В. Шмарцев
PDF полного текста (607 kB)
Аннотация: Рассмотрено распределение температуры в кристаллизационной системе с учетом влияния границ раздела источника и подложки с электродами и с учетом типа проводимости материала источника и подложки. Показано, что температурное распределение в этом случае имеет некоторые особенности, которые приводят к изменению в значении стационарной скорости роста пленки.
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Геворкян, Л. В. Голубев, А. Е. Хачатрян, Ю. В. Шмарцев, “К вопросу о кинетике роста в равновесной электрожидкостной эпитаксии”, ЖТФ, 53:3 (1983), 545–549
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GevGolShm83}
\by В.~А.~Геворкян, Л.~В.~Голубев, А.~Е.~Хачатрян, Ю.~В.~Шмарцев
\paper К вопросу о~кинетике роста в~равновесной электрожидкостной эпитаксии
\jour ЖТФ
\yr 1983
\vol 53
\issue 3
\pages 545--549
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf2240}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf2240
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v53/i3/p545
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024