Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 1984, том 54, выпуск 12, страницы 2416–2418 (Mi jtf2112)  
Краткие сообщения

Влияние легирования кристаллов силиката висмута на характеристики электронно-лучевого пространственного модулятора света

А. В. Иванов, Ю. Л. Копылов, В. Б. Кравченко, В. В. Куча, Р. Ш. Тухватулин

Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина
PDF полного текста (451 kB)
Поступила в редакцию: 09.02.1984
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.396.535.8
Образец цитирования: А. В. Иванов, Ю. Л. Копылов, В. Б. Кравченко, В. В. Куча, Р. Ш. Тухватулин, “Влияние легирования кристаллов силиката висмута на характеристики электронно-лучевого пространственного модулятора света”, ЖТФ, 54:12 (1984), 2416–2418
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IvaKopKra84}
\by А.~В.~Иванов, Ю.~Л.~Копылов, В.~Б.~Кравченко, В.~В.~Куча, Р.~Ш.~Тухватулин
\paper Влияние легирования кристаллов силиката висмута
на характеристики
электронно-лучевого пространственного модулятора света
\jour ЖТФ
\yr 1984
\vol 54
\issue 12
\pages 2416--2418
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf2112}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf2112
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v54/i12/p2416
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024