Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 1984, том 54, выпуск 9, страницы 1804–1805 (Mi jtf1962)  
Краткие сообщения

Прочность ионных кристаллов при импульсном облучении плотными пучками электронов в сверхсильных электрических полях

И. Н. Балычевab, Д. И. Вайсбурдab, В. А. Трофимовab

a Томский политехнический институт им. С. М. Кирова
b Институт сильноточной электроники СО АН СССР, Томск
PDF полного текста (307 kB)
Поступила в редакцию: 31.08.1983
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 539.019.3
Образец цитирования: И. Н. Балычев, Д. И. Вайсбурд, В. А. Трофимов, “Прочность ионных кристаллов при импульсном облучении плотными пучками электронов в сверхсильных электрических полях”, ЖТФ, 54:9 (1984), 1804–1805
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BalVaiTro84}
\by И.~Н.~Балычев, Д.~И.~Вайсбурд, В.~А.~Трофимов
\paper Прочность ионных кристаллов при импульсном облучении плотными пучками
электронов в~сверхсильных электрических полях
\jour ЖТФ
\yr 1984
\vol 54
\issue 9
\pages 1804--1805
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf1962}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf1962
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v54/i9/p1804
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025