Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал технической физики, 1984, том 54, выпуск 8, страницы 1512–1520 (Mi jtf1910)  

Плазма

Развитие неустойчивости в диоде Пирса вдали от порога возбуждения

И. Н. Колышкин, В. И. Кузнецов, А. Я. Эндер

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Аннотация: Проведено исследование устойчивости диода Пирса. Обнаружено, что в таком диоде наряду с апериодической может развиваться и периодическая неустойчивость. Показано, что движение ионов приводит к развитию в диоде наряду с неустойчивостью Пирса также и неустойчивости Бунемана, которая при достаточно больших величинах межэлектродного зазора становится определяющей.
Поступила в редакцию: 27.09.1983
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 537.521
Образец цитирования: И. Н. Колышкин, В. И. Кузнецов, А. Я. Эндер, “Развитие неустойчивости в диоде Пирса вдали от порога возбуждения”, ЖТФ, 54:8 (1984), 1512–1520
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KolKuzEnd84}
\by И.~Н.~Колышкин, В.~И.~Кузнецов, А.~Я.~Эндер
\paper Развитие неустойчивости в~диоде Пирса вдали от порога возбуждения
\jour ЖТФ
\yr 1984
\vol 54
\issue 8
\pages 1512--1520
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf1910}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf1910
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v54/i8/p1512
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024