|
Журнал технической физики, 1984, том 54, выпуск 7, страницы 1330–1333
(Mi jtf1868)
|
|
|
|
Измерение локальной толщины кристаллов и получение профилей
распределения дефектов по глубине и ионно-легированных слоях кремния
методом электронной микроскопии
П. В. Петрашень, А. А. Ситникова, Л. М. Сорокин Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Аннотация:
Метод трансмиссионной электронной микроскопии применяется
для получения профиля распределения дефектов по глубине образца. Подробно
рассмотрены следующие моменты: измерение локальной толщины кристалла,
получение экспериментальной кривой интегрального распределения дефектов,
переход к пространственному распределению дефектов в образце. В качестве
иллюстрации применимости метода приводятся данные об изучении дефектов в виде
дислокационных петель, возникающих после низкотемпературного
(${< 900^{\circ}}$С) отжига ионно-легированных слоев кремния. Положение
максимума в концентрационном профиле дефектов, определенное методом
трансмиссионной электронной микроскопии, хорошо согласуется с местонахождением
пика в распределении радиационных дефектов в кремнии
после облучения ионами бора [5].
Поступила в редакцию: 04.03.1983
Образец цитирования:
П. В. Петрашень, А. А. Ситникова, Л. М. Сорокин, “Измерение локальной толщины кристаллов и получение профилей
распределения дефектов по глубине и ионно-легированных слоях кремния
методом электронной микроскопии”, ЖТФ, 54:7 (1984), 1330–1333
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf1868 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v54/i7/p1330
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 42 | PDF полного текста: | 19 |
|