|
Журнал технической физики, 1984, том 54, выпуск 7, страницы 1320–1324
(Mi jtf1866)
|
|
|
|
Исследование диффузии цинка из газовой фазы в твердые растворы
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
В. М. Андреев, О. В. Сулима Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Аннотация:
Исследована зависимость глубины диффузии цинка $h$ в
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As от состава твердого раствора $x$. Обнаружено отсутствие
зависимости $h(x)$ при ${x<0.14}$. Также обнаружено отсутствие зависимости
$h$ от типа проводимости слоя Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As от концентрации носителей
в этом слое в диапазоне ${10^{16}{-}10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ и от величины
упругих напряжений в диапазоне ${0.8{-}1.5\cdot10^{9}\,\text{дин/см}^{2}}$.
На наблюдаемые зависимости глубины диффузии от состава, а также на разброс
экспериментальных точек в зависимости $h(x)$ при ${x> 0.7}$ существенное
влияние может оказывать состояние поверхности,
в том числе наличие окисных пленок.
Поступила в редакцию: 18.07.1983
Образец цитирования:
В. М. Андреев, О. В. Сулима, “Исследование диффузии цинка из газовой фазы в твердые растворы
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, ЖТФ, 54:7 (1984), 1320–1324
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf1866 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v54/i7/p1320
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 49 | PDF полного текста: | 30 |
|