Возможности повышения термостабильности монокристаллического кремния для мощных полупроводниковых приборов

С помощью оптической поляризации ядерных моментов изучены дефекты решетки, возникающие в процессе высокотемпературной обработки и последующего охлаждения монокристаллов кремния. Обнаружены термодефекты как донорного, так и акцепторного типа. Показано, что, уменьшая скорость охлаждения монокристаллов после высокотемпературной обработки, можно добиться стабильности параметров материала. Изучено влияние на образование термодефектов примесей редкоземельных элементов (РЗЭ), а также способов обработки поверхности монокристаллов кремния. Показано, что с помощью введения РЗЭ можно повысить термостабильность монокристаллического кремния.