|
Журнал технической физики, 1984, том 54, выпуск 4, страницы 790–796
(Mi jtf1750)
|
|
|
|
К вопросу о поверхностной электрической прочности сегнетоэлектриков
А. З. Эфендиев, Р. П. Мейланов, С. А. Садыков Дагестанский государственный университет им. В. И. Ленина, Махачкала
Аннотация:
Рассмотрена количественная модель поверхностного
пробоя сегнетоэлектриков, учитывающая влияние свободных носителей заряда,
выделяющихся в поверхностных слоях при переориентации доменов, на коэффициент
ионизационного усиления. Методом сравнения расчетной величины коэффициента
ионизационного усиления с его эмпирическим значением получено выражение для
напряженности поля поверхностного пробоя сегнетоэлектрика в переполяризующем
поле. Анализирована зависимость пробивного поля от градиента концентрации
свободных зарядов на границе сегнетоэлектрик–воздух. Расчетные зависимости
поверхностной электрической прочности от скорости нарастания поля находятся
в удовлетворительном согласии с экспериментальными результатами.
Поступила в редакцию: 09.03.1983 Исправленный вариант: 06.07.1983
Образец цитирования:
А. З. Эфендиев, Р. П. Мейланов, С. А. Садыков, “К вопросу о поверхностной электрической прочности сегнетоэлектриков”, ЖТФ, 54:4 (1984), 790–796
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf1750 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v54/i4/p790
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 49 | PDF полного текста: | 32 |
|