Низкопороговые инжекционные лазеры на основе зарощенных гетероструктур GaInPAs/InP (1.2$-$1.6 мкм)

Лазерные зарощенные полосковые гетероструктуры на основе GaInPAs/InP изготовлены методом жидкофазной двухэтажной эпитаксии на подложках $p$-InP. Изучены боковое оптическое ограничение и эффективность электрической изоляции (с помощью встречных $p{-}n$ переходов и высокоомного материала заращивания). Получены непрерывные инжекционные лазеры с пороговым током менее 50 мА при комнатной температуре (минимальное значение 15 мА в диапазоне 1.3 мкм и 23 мА в диапазоне 1.55$-$1.60 мкм). Исследованы спектры усиления, зависимости усиления от тока накачки и модовая структура лазерного излучения. Максимальная рабочая температура непрерывного режима составила более $90^{\circ}$С.