|
Журнал технической физики, 1984, том 54, выпуск 3, страницы 450–454
(Mi jtf1694)
|
|
|
|
Теоретическая и математическая физика
О динамике обедненной области в полупроводнике с ионизованной
примесью
Л. Э. Цырлин
Аннотация:
Рассмотрено в бездиффузионном приближении поведение
плоских полупроводниковых структур с обедненной областью при переменном
напряжении «обратной» полярности с учетом инерционности
распределения заряда свободных носителей. Показано, что в нестационарных
условиях сохраняется резкая граница между нейтральной и обедненной областями,
получено уравнение движения границы, решаемое элементарно при
«скачкообразных» изменениях напряжения и через функции Матье —
при напряжении вида ${A+B \sin (\omega t+\gamma)}$.
Рассмотрено линеаризованное «малосигнальное» приближение,
определены, в частности, собственное время структуры и частотная зависимость
емкости. Для МДП структур и неидеальных контактов Шоттки введены учет
конечной толщины диэлектрика и учет заряда на его границе с полупроводником.
Поступила в редакцию: 14.04.1983 Исправленный вариант: 15.06.1983
Образец цитирования:
Л. Э. Цырлин, “О динамике обедненной области в полупроводнике с ионизованной
примесью”, ЖТФ, 54:3 (1984), 450–454
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf1694 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v54/i3/p450
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 40 | PDF полного текста: | 16 |
|